会议报告
时间：2023.10.25
地点：将军路校区D10楼会议室
报告人：孙永博
报告一：4H-SiC中子探测器在托卡马克环境下中子辐照损伤模拟研究
报告人：杨洲
报告二：共晶高熵合金AlCoCrFeNi2.1的辐照损伤行为及其腐蚀行为研究
报告人：马旭呈
报告三：中子多球谱仪响应函数刻度方法研究
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