2021年5月20日，西安交通大学核科学与技术学院施坦助理教授应IINT课题组陈飞达副教授的邀请，做客“核学讲坛”。通过腾讯会议线上为60余名广大师生进行“二维半导体材料的离子辐照效应”主题学术报告。本次报告由IINT课题组汤晓斌教授、陈飞达副教授主持。

    施坦老师先后在美国劳伦斯伯克利国家实验室、美国洛斯阿拉莫斯国家实验室等研究机构从事研究工作；现任职西安交通大学核科学与技术学院助理教授，在卢晨阳教授课题组开展科研工作。施坦老师目前主要从事半导体、金属材料的辐照损伤、中子探测器表征及应用、核安全防护等相关研究，共发表SCI论文13篇。

    本次报告施坦老师首先对个人与研究团队进行介绍。展示了他在密西根大学期间有关核探测方面的科研经历，同时对西安交通大学卢晨阳教授课题组目前有关于高熵合金辐照损伤研究的相关内容、相关研究成果和创新点进行展示。

    针对二维半导体材料的离子辐照效应，本次报告主要从“二维材料例子辐照损伤的分子动力学模拟”、“离子辐照对二维材料表面化学的影响”及“离子辐照对MoS2场效应管的损伤”等方面展开。报告中提及了二维材料过渡金属硫族化合物（TMD）材料的电学性能、从器件层面及材料层面分析离子辐照对二维材料的辐照损伤影响、有关MoS2辐照损伤的分子动力学模拟、离子辐照对二维材料表面化学影响等内容。施坦教授清晰的讲解及报告内容中涉及到的创新技术和实验方法，开拓了同学们的眼界，激发了师生的针对核探测器件以及二维半导体材料等报告中所涉及的相关内容的深刻思考。

    报告结束的互动环节，大家踊跃提问，施坦老师与师生们对“超冷中子引发锕系元素溅射”、“二维材料缺陷通过算法辨别的方式”、“中子、伽马成像过程”、“能带弯曲检测”、“TEM与模拟结合用来验证模型真实性的研究思路”及“多尺度模拟”等内容进行了深入的交流。施坦老师新颖的报告内容，清晰的讲解方式，详细专业的解答，使参会师生增长学识、受益匪浅。