2021年5月26-29日，IINT课题组博士生王宏宇前往陕西西安参加了第四届电子元器件辐射效应国际会议（ICREED-2021）。此次大会由西安交通大学、西安微电子技术研究所和中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术实验室联合主办；由西安电子科技大学、哈尔滨工业大学、扬州大学、云南师范大学、北京微电子技术研究所、中国科学院新疆理化技术研究所、模拟集成电路国家级重点实验室协办。
会议分线上和线下两种形式，线下注册人数226位，线上58位，共计300余位专家、学者和学生参会。由7位国外著名专家和11位国内知名学者和青年才俊作了大会特邀报告；4个分会场进行了分会交流，其中分会特邀报告10个和技术报告50个，68篇海报展示等。会议内容涵盖电子元器件与电子系统在空间及核辐射环境中的辐照效应机理、辐射效应建模、辐照测试和抗辐照加固技术等相关方面的最新进展及成果。
本次大会期间，课题组博士生王宏宇做了题为InGaAs long-term radiation damage research of radioisotope thermophotovoltaic generator based on Pu-238 heat source，英文的分会场口头报告，向各位专家学者介绍了课题组在热光伏电池辐照损伤方向的研究成果，并得到了与会专家的充分认可。参会人员也借此与参会专家学者们就光伏电池应用过程中的辐照损伤效应展开了充分的交流讨论，促进各方共同进步。
