2023年10月18日，由国防科技工业抗辐照应用技术创新中心主办的“SiC器件辐射效应及试验方法研讨会”在北京举行。IINT课题组陈飞达副教授和硕士研究生孙永博、孙树青参加了本次会议，其中孙永博做了题为《4H-SiC中子探测器在托卡马克环境下中子辐照损伤模拟研究》的学术报告。

    会议期间，孙永博介绍了课题组在4H-SiC中子探测器辐照性能方面的研究工作，并与会上的专家学者们进行了深入的交流讨论。通过此次会议，课题组师生深入了解了国内抗辐照SiC与GaN器件的前沿信息和研究现状，这为课题组后续开展相关研究打下了坚实的基础。

    本次SiC器件辐射效应及试验方法研讨会由国防科技工业抗辐照应用技术创新中心主办，中国原子能科学研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院、西北核技术研究院承办，旨在为SiC器件辐照损伤效应与抗辐设计相关领域的科研人员提供交流平台，探讨SiC与GaN器件抗辐加固设计方案与实验验证方法。