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Sun Shuqing,Chen Feida,Sun Yongbo,Li Yongxing,Yang Kun,Tang Xiaobin.Single event effects hardening in SiC double-trench MOSFETs[J].Microelectronics Reliability,2025,164(2025):115569.

时间:2025-02-03作者:来源:核技术与多学科交叉创新研究中心点击:213



Sun Shuqing,Chen Feida,Sun Yongbo,Li Yongxing,Yang Kun,Tang Xiaobin.Single event effects hardening in SiC double-trench MOSFETs[J].Microelectronics Reliability,2025,164(2025):115569.


孙树青--Single event effects hardening in SiC double-trench MOSFETs.pdf

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