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韩云昊,罗尹虹,陈伟,张凤祁,汤晓斌,郝培培,陈飞达.基于12 nm FinFET器件的可变LET值重离子单粒子效应实验方法研究[J].现代应用物理,2025,16(2025):154-160.

时间:2025-02-01作者:来源:核技术与多学科交叉创新研究中心点击:213


韩云昊,罗尹虹,陈伟,张凤祁,汤晓斌,郝培培,陈飞达.基于12 nm FinFET器件的可变LET值重离子单粒子效应实验方法研究[J].现代应用物理,2025,16(2025):154-160.


韩云昊--基于12nm FinFET器件的可变LET值重离子单粒子效应实验方法研究.pdf

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