2025
韩云昊,罗尹虹,陈伟,张凤祁,汤晓斌,郝培培,陈飞达.基于12 nm FinFET器件的可变LET值重离子单粒子效应实验方法研究[J].现代应用物理,2025,16(2025):154-160.
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